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CSD13202Q2
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CSD13202Q2技术资料
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CSD13202Q2
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
原厂封装：
6-SON
优势价格，CSD13202Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD13202Q2的技术资料下载
CSD13202Q2的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD13202Q2
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
系列：NexFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.3 毫欧 @ 5A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：997pF @ 6V
功率 - 最大值：2.7W
安装类型：表面贴装
封装样式：6-VDFN 裸露焊盘
原厂封装：6-SON（2x2）
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