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CSD13302W
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CSD13302W技术资料
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CSD13302W
FET - 单
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET NCH 12V
原厂封装：
4-UFBGA，DSBGA
优势价格，CSD13302W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD13302W的技术资料下载
CSD13302W的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD13302W
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET NCH 12V
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 17.1m? @ 1A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 7.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 862pF @ 6V
功率 - 最大值: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装样式: 4-UFBGA，DSBGA
原厂封装: 4-DSBGA（1x1）
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