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CSD13303W1015的图片

CSD13303W1015

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
原厂封装：6-DSBGA
优势价格，CSD13303W1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD13303W1015的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD13303W1015
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20mOhm @ 1.5A、 4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：715pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.65W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-DSBGA
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