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CSD13306W的图片

CSD13306W

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
原厂封装：6-DSBGA（1x1.5）
优势价格，CSD13306W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD13306W的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD13306W
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.2m @ 1.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.2nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
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