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CSD13306W的图片

CSD13306W

FET - 单

制造厂商：德州仪器(TI)

功能简述：MOSFET NCH 12V

原厂封装：6-UFBGA，DSBGA

优势价格，CSD13306W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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CSD13306W的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供

TI公司标准型号: CSD13306W

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET NCH 12V

系列: NexFET?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10.2m? @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 11.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1370pF @ 6V

功率 - 最大值: 1.9W

安装类型: 表面贴装

封装样式: 6-UFBGA，DSBGA

原厂封装: 6-DSBGA（1x1.5）

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