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CSD13306WT

TI图标
FET - 单
制造厂商:德州仪器(TI)
功能简述:MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
原厂封装:6-UFBGA,DSBGA
优势价格,CSD13306WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD13306WT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
  • TI公司标准型号: CSD13306WT
  • 制造厂家名称: Texas Instruments
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
  • 系列: NexFET?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 12V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.5A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 10.2m? @ 1.5A, 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 11.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1370pF @ 6V
  • 功率 - 最大值: 1.9W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装样式: 6-UFBGA,DSBGA
  • 原厂封装: 6-DSBGA(1x1.5)
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