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CSD13306WT
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CSD13306WT技术资料
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CSD13306WT
FET - 单
制造厂商:
德州仪器(TI)
功能简述:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
原厂封装:
6-UFBGA,DSBGA
优势价格,CSD13306WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD13306WT的技术资料下载
CSD13306WT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD13306WT
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 10.2m? @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 11.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1370pF @ 6V
功率 - 最大值: 1.9W
安装类型: 表面贴装
封装样式: 6-UFBGA,DSBGA
原厂封装: 6-DSBGA(1x1.5)
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