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CSD13381F4的图片

CSD13381F4

单端场效应管

制造厂商：德州仪器(TI)

功能简述：MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

原厂封装：3-PICOSTAR

优势价格，CSD13381F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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CSD13381F4的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供

TI公司标准型号：CSD13381F4

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 500mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：200pF @ 6V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装样式：3-XFDFN

原厂封装：3-PICOSTAR

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