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CSD13381F4T
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CSD13381F4T技术资料
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CSD13381F4T
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
原厂封装：
402
优势价格，CSD13381F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD13381F4T的技术资料下载
CSD13381F4T的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD13381F4T
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
系列：FemtoFET
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 500mA， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：200pF @ 6V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装样式：0402（1006 公制）
原厂封装：0402
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