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CSD16323Q3
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CSD16323Q3技术资料
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CSD16323Q3
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
原厂封装：
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
优势价格，CSD16323Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD16323Q3的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD16323Q3
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25V
25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 24A，8V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：+10V，-8V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 12.5V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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