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CSD16323Q3C

TI图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:TI(德州仪器)
功能简述:MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
原厂封装:8-SON-EP(3x3)
优势价格,CSD16323Q3C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD16323Q3C的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号:CSD16323Q3C
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Ta),60A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,8V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 24A,8V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.4nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):+10V,-8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 12.5V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SON-EP(3x3)
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  • 线性 - 视频处理
    SN761680DCH
  • 电源管理IC - 稳压器 - 线性 + 切换式
    LM3687TL-1815/NOPB
  • 评估板 - 数模转换器(DAC)
    DAC38RF89EVM
  • 嵌入式 - 微控制器
    MSP430F123IPW
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