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CSD16408Q5C
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CSD16408Q5C技术资料
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CSD16408Q5C
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
原厂封装：
8-SON-EP
优势价格，CSD16408Q5C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD16408Q5C的技术资料下载
CSD16408Q5C的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD16408Q5C
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
系列：NexFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A（Ta），113A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 12.5V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装样式：8-TDFN 裸露焊盘
原厂封装：8-SON-EP（5x6）
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