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CSD16570Q5BT
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CSD16570Q5BT技术资料
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CSD16570Q5BT
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
原厂封装：
8-VSON
优势价格，CSD16570Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD16570Q5BT的技术资料下载
CSD16570Q5BT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD16570Q5BT
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
系列：NexFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：0.59 毫欧 @ 50A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14000pF @ 12V
功率 - 最大值：3.2W
安装类型：表面贴装
封装样式：8-TDFN
原厂封装：8-VSON （5x6）
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