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CSD17308Q3
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CSD17308Q3技术资料
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CSD17308Q3
单端场效应管
制造厂商:
德州仪器(TI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
原厂封装:
8-SON
优势价格,CSD17308Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD17308Q3的技术资料下载
CSD17308Q3的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号:CSD17308Q3
制造厂家名称:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
系列:NexFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta),47A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.3 毫欧 @ 10A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 15V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装
封装样式:8-TDFN 裸露焊盘
原厂封装:8-SON
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