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CSD17312Q5
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CSD17312Q5技术资料
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CSD17312Q5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
原厂封装:
8-VSON-CLIP(5x6)
优势价格,CSD17312Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD17312Q5的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD17312Q5
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:NexFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):38A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,8V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.5 毫欧 @ 35A,8V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):36nC @ 4.5V
Vgs(最大值):+10V,-8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5240pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
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