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CSD17313Q2Q1
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CSD17313Q2Q1技术资料
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CSD17313Q2Q1
单端场效应管
制造厂商:
德州仪器(TI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
原厂封装:
6-SON
优势价格,CSD17313Q2Q1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD17313Q2Q1的技术资料下载
CSD17313Q2Q1的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号:CSD17313Q2Q1
制造厂家名称:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
系列:自动, AEC-Q100, NexFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):340pF @ 15V
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装
封装样式:6-WDFN 裸露焊盘
原厂封装:6-SON(2x2)
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