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CSD17579Q5AT

TI图标
FET - 单
制造厂商:德州仪器(TI)
功能简述:MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
原厂封装:8-PowerTDFN
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CSD17579Q5AT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
  • TI公司标准型号: CSD17579Q5AT
  • 制造厂家名称: Texas Instruments
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
  • 系列: NexFET?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 9.7 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 15.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1030pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 3.1W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装样式: 8-PowerTDFN
  • 原厂封装: 8-VSON(5x6)
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