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CSD18509Q5B

FET - 单

制造厂商：德州仪器(TI)

功能简述：MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

原厂封装：8-PowerTDFN

优势价格，CSD18509Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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CSD18509Q5B的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供

TI公司标准型号: CSD18509Q5B

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

系列: NexFET?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.2 毫欧 @ 32A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 195nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 13900pF @ 20V

功率 - 最大值: 3.1W

安装类型: 表面贴装

封装样式: 8-PowerTDFN

原厂封装: 8-VSON（5x6）

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