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    CSD18512Q5B的图片

    CSD18512Q5B

    TI图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：TI(德州仪器)
    功能简述：MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
    原厂封装：8-VSON-CLIP（5x6）
    优势价格，CSD18512Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    CSD18512Q5B的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD18512Q5B
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：211A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7120pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：139W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
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