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    CSD18531Q5AT的图片

    CSD18531Q5AT

    TI图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：TI(德州仪器)
    功能简述：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    原厂封装：8-VSONP（5x6）
    优势价格，CSD18531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    CSD18531Q5AT的技术资料下载
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    CSD18531Q5AT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD18531Q5AT
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.6 毫欧 @ 22A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3840pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），156W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-VSONP（5x6）
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