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CSD18537NQ5AT
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CSD18537NQ5AT技术资料
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CSD18537NQ5AT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
原厂封装:
8-VSONP(5x6)
优势价格,CSD18537NQ5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD18537NQ5AT的技术资料下载
CSD18537NQ5AT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD18537NQ5AT
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:NexFET?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 12A、 10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1480pF @ 30V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.2W(Ta),75W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:8-VSONP(5x6)
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