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CSD19506KTT的图片

CSD19506KTT

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
原厂封装：DDPAK/TO-263-3
优势价格，CSD19506KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD19506KTT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD19506KTT
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：156nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12200pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DDPAK/TO-263-3
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