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CSD19531Q5AT
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CSD19531Q5AT技术资料
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CSD19531Q5AT
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
原厂封装：
8-VSON
优势价格，CSD19531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD19531Q5AT的技术资料下载
CSD19531Q5AT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD19531Q5AT
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
系列：NexFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.4 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3870pF @ 50V
功率 - 最大值：3.3W
安装类型：表面贴装
封装样式：8-SMD，扁平引线
原厂封装：8-VSON （5x6）
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