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CSD19533KCS
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CSD19533KCS技术资料
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CSD19533KCS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,CSD19533KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD19533KCS的技术资料下载
CSD19533KCS的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD19533KCS
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:NexFET?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.5 毫欧 @ 55A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2670pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):188W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220-3
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