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CSD19535KCS
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CSD19535KCS技术资料
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CSD19535KCS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,CSD19535KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD19535KCS的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD19535KCS
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:NexFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):150A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 100A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):101nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7930pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220-3
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