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CSD19535KTTT
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CSD19535KTTT技术资料
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CSD19535KTTT
FET - 单
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
原厂封装：
TO-263-4，D2Pak
优势价格，CSD19535KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD19535KTTT的技术资料下载
CSD19535KTTT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD19535KTTT
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 200A TO263
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 7930pF @ 50V
功率 - 最大值: 300W
安装类型: 表面贴装
封装样式: TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA
原厂封装: DDPAK/TO-263-3
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