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CSD19537Q3T

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
原厂封装：8-VSON（3.3x3.3）
优势价格，CSD19537Q3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD19537Q3T的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD19537Q3T
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
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