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CSD19538Q2的图片

CSD19538Q2

TI图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:TI(德州仪器)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
原厂封装:6-WSON(2x2)
优势价格,CSD19538Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD19538Q2的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号:CSD19538Q2
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):14.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):59 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.6nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):454pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),20.2W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:6-WSON(2x2)
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  • 评估板 - DC-DC 与 AC-DC(离线)SMPS
    TPS55340EVM-147
  • 评估板 - DC-DC 与 AC-DC(离线)SMPS
    LM2854EVAL
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