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CSD19538Q2T
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CSD19538Q2T技术资料
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CSD19538Q2T
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
原厂封装：
6-WSON（2x2）
优势价格，CSD19538Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD19538Q2T的技术资料下载
CSD19538Q2T的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD19538Q2T
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：13.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：454pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），20.2W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：6-WSON（2x2）
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