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    CSD23201W10的图片

    CSD23201W10

    TI图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：TI(德州仪器)
    功能简述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
    原厂封装：4-DSBGA（1x1）
    优势价格，CSD23201W10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    CSD23201W10的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD23201W10
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：NexFET?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：82 毫欧 @ 500mA，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.4nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：-6V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-DSBGA（1x1）
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