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CSD23203W
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CSD23203W技术资料
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CSD23203W
单端场效应管
制造厂商:
德州仪器(TI)
功能简述:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 6WCSP
原厂封装:
6-DSBGA
优势价格,CSD23203W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD23203W的技术资料下载
CSD23203W的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号:CSD23203W
制造厂家名称:Texas Instruments
描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 6WCSP
系列:NexFET?
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):19.4 毫欧 @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):914pF @ 4V
功率 - 最大值:750mW
安装类型:表面贴装
封装样式:6-UFBGA,DSBGA
原厂封装:6-DSBGA
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