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CSD23382F4
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CSD23382F4技术资料
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CSD23382F4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
原厂封装:
3-PICOSTAR
优势价格,CSD23382F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD23382F4的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD23382F4
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:FemtoFET?
零件状态:有源
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):76 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.35nC @ 6V
Vgs(最大值):±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):235pF @ 6V
FET功能:-
功率耗散(最大值):500mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:3-PICOSTAR
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