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CSD25202W15
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CSD25202W15技术资料
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CSD25202W15
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
原厂封装：
9-DSBGA
优势价格，CSD25202W15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD25202W15的技术资料下载
CSD25202W15的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD25202W15
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：-6V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1010pF @ 10V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：9-DSBGA
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