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CSD25211W1015的图片

CSD25211W1015

单端场效应管

制造厂商：德州仪器(TI)

功能简述：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

原厂封装：6-DSBGA

优势价格，CSD25211W1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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CSD25211W1015的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供

TI公司标准型号：CSD25211W1015

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：570pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装样式：6-UFBGA，DSBGA

原厂封装：6-DSBGA（1x1.5）

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