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CSD25213W10
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CSD25213W10技术资料
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CSD25213W10
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
原厂封装：
4-DSBGA
优势价格，CSD25213W10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD25213W10的技术资料下载
CSD25213W10的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD25213W10
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
系列：NexFET?
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：47 毫欧 @ 1A、 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：478pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装样式：4-UFBGA，DSBGA
原厂封装：4-DSBGA（1x1）
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