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CSD25303W1015
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CSD25303W1015技术资料
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CSD25303W1015
单端场效应管
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
原厂封装：
6-DSBGA
优势价格，CSD25303W1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD25303W1015的技术资料下载
CSD25303W1015的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD25303W1015
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
系列：NexFET?
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装样式：6-UFBGA，DSBGA
原厂封装：6-DSBGA（1x1.5）
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