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CSD25481F4

TI图标
单端场效应管
制造厂商:德州仪器(TI)
功能简述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
原厂封装:3-PICOSTAR
优势价格,CSD25481F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD25481F4的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
  • TI公司标准型号:CSD25481F4
  • 制造厂家名称:Texas Instruments
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
  • 系列:NexFET?
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):88 毫欧 @ 500mA, 8V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.913nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):189pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装样式:3-XFDFN
  • 原厂封装:3-PICOSTAR
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  • 微控制器
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