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CSD75207W15
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CSD75207W15技术资料
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CSD75207W15
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
原厂封装：
9-UFBGA，DSBGA
优势价格，CSD75207W15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD75207W15的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD75207W15
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：2 P 沟道（双）共源
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：-
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.9A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：162 毫欧 @ 1A，1.8V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.7nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：595pF @ 10V
功率-最大值：700mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：9-UFBGA，DSBGA
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