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CSD75211W1723
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CSD75211W1723技术资料
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CSD75211W1723
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
原厂封装:
12-UFBGA,DSBGA
优势价格,CSD75211W1723的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD75211W1723的技术资料下载
CSD75211W1723的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD75211W1723
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:NexFET
零件状态:停产
FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 2A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.9nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):600pF @ 10V
功率-最大值:1.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:12-UFBGA,DSBGA
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