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CSD83325L
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CSD83325L技术资料
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CSD83325L
场效应管阵列
制造厂商:
德州仪器(TI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
原厂封装:
6
优势价格,CSD83325L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD83325L的技术资料下载
CSD83325L的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号:CSD83325L
制造厂家名称:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
系列:NexFET?
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):-
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装
封装样式:6-XFBGA
原厂封装:6 PicoStar
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