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TI
CSD83325L的图片

CSD83325L

TI图标
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:TI(德州仪器)
功能简述:MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
原厂封装:6-XFBGA
优势价格,CSD83325L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD83325L的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号:CSD83325L
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):10.9nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:2.3W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-XFBGA
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  • CSD83325LT
  • 直流转换器
    DCP022418DP
  • 电源管理IC - 电池管理
    BQ7692003PWR
  • 评估板 - 传感器
    HDC2080EVM
  • 数据采集 - 模数转换器(ADC)
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