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CSD83325LT
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CSD83325LT技术资料
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CSD83325LT
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
原厂封装:
6-XFBGA
优势价格,CSD83325LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD83325LT的技术资料下载
CSD83325LT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD83325LT
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:NexFET?
零件状态:有源
FET类型:2 N 沟道(双)共漏
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):12V
25°C时电流-连续漏极(Id):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):10.9nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
功率-最大值:2.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:6-XFBGA
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CSD83325L
晶
DAC8564IDPW
数据采集 - 数模转换器(DAC)
MSP430F6725IPN
嵌入式 - 微控制器
PCA9546ADT
16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
TLV2217-33KVURG3
电源管理IC - 稳压器 - 线性
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