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CSD85312Q3E的图片

CSD85312Q3E

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
原厂封装：8-PowerVDFN
优势价格，CSD85312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD85312Q3E的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD85312Q3E
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共源
  • FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 10A，8V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.2nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 10V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerVDFN
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