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CSD86330Q3D
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CSD86330Q3D技术资料
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CSD86330Q3D
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
原厂封装：
8-PowerLDFN
优势价格，CSD86330Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD86330Q3D的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD86330Q3D
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：25V
25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.6 毫欧 @ 14A，8V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：920pF @ 12.5V
功率-最大值：6W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerLDFN
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