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CSD86336Q3DT
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CSD86336Q3DT技术资料
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CSD86336Q3DT
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，CSD86336Q3DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD86336Q3DT的技术资料下载
CSD86336Q3DT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD86336Q3DT
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）：25V
25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA，1.6V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V
功率-最大值：6W
工作温度：-55°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerTDFN
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