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CSD86356Q5D的图片

CSD86356Q5D

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
原厂封装：8-PowerTDFN
优势价格，CSD86356Q5D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD86356Q5D的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD86356Q5D
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 个 N 通道（半桥）
  • FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.85V @ 250A，1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V
  • 功率-最大值：12W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerTDFN
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