CSD86356Q5DT

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：TI(德州仪器)

功能简述：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

原厂封装：8-PowerTDFN

优势价格，CSD86356Q5DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

CSD86356Q5DT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供

制造商产品型号：CSD86356Q5DT

制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）

描述：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：NexFET?

零件状态：有源

FET类型：2 个 N 通道（半桥）

FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动

漏源电压（Vdss）：25V

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.85V @ 250μA，1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V

功率-最大值：12W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

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