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CSD87312Q3E
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CSD87312Q3E价格
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CSD87312Q3E技术资料
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CSD87312Q3E
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
原厂封装:
8-PowerTDFN
优势价格,CSD87312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87312Q3E的技术资料下载
CSD87312Q3E的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD87312Q3E
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:NexFET?
零件状态:有源
FET类型:2 N 沟道(双)共源
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):27A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):33 毫欧 @ 7A,8V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1250pF @ 15V
功率-最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerTDFN
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