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CSD87333Q3DT的图片

CSD87333Q3DT

TI图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
原厂封装：8-PowerTDFN
优势价格，CSD87333Q3DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD87333Q3DT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 制造商产品型号：CSD87333Q3DT
  • 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：NexFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
  • FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.3 毫欧 @ 4A，8V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：662pF @ 15V
  • 功率-最大值：6W
  • 工作温度：125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerTDFN
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