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CSD87503Q3E
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CSD87503Q3E价格
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CSD87503Q3E技术资料
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CSD87503Q3E
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
原厂封装：
8-PowerVDFN
优势价格，CSD87503Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87503Q3E的技术资料下载
CSD87503Q3E的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD87503Q3E
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：2 N 沟道（双）共源
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13.5 毫欧 @ 6A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1020pF @ 15V
功率-最大值：15.6W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerVDFN
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