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CSD87503Q3ET
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CSD87503Q3ET技术资料
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CSD87503Q3ET
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
原厂封装:
8-PowerVDFN
优势价格,CSD87503Q3ET的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87503Q3ET的技术资料下载
CSD87503Q3ET的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD87503Q3ET
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:NexFET
零件状态:有源
FET类型:2 N 沟道(双)共源
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.4nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 15V
功率-最大值:15.6W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerVDFN
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