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CSD87503Q3ET

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：TI(德州仪器)

功能简述：30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

原厂封装：8-PowerVDFN

优势价格，CSD87503Q3ET的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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CSD87503Q3ET的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供

制造商产品型号：CSD87503Q3ET

制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）

描述：30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：NexFET?

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）共源

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1020pF @ 15V

功率-最大值：15.6W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerVDFN

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