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CSD88537ND
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CSD88537ND技术资料
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CSD88537ND
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,CSD88537ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD88537ND的技术资料下载
CSD88537ND的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号:CSD88537ND
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:NexFET
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):15A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 8A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 30V
功率-最大值:2.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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