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CSD88539NDT
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CSD88539NDT技术资料
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CSD88539NDT
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
原厂封装：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，CSD88539NDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD88539NDT的技术资料下载
CSD88539NDT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD88539NDT
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：15A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：741pF @ 30V
功率-最大值：2.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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